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《R th(j-c) junction to case(AC)TO-3P(Ins)》:0.9℃/W

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《IGM Peak gate current》:4A

《Tj额定结温》:-40℃-125℃

《Tstg 储存温度》:-40℃-150℃

《可控硅脚位排列》:T1-T2-G

《功率特性》:标准大功率

《散热功能》:标准散热片

《封装材料》:树 脂 封 装

《关断速度》:高转换

《可控硅极数》:三 极

《频率特性》:中频

《控制方式》 :双 向

《 可控硅品牌》:HXW(环昕微)

《 可控硅封装》:TO-3P《insulated》绝缘

《可控硅型号》:BTB41-800B和BTBB

一.产品参数介绍如下: